2013年4月11日，“2013中国LED产业健康产业发展高峰论坛暨第五届中国LED行业（2012）年度评选颁奖典礼”在深圳举行，晶能光电的“GaN-On-Si LED外延芯片制备技术/硅基大功率蓝光芯片” 荣获“2012中国LED行业创新技术和产品奖”。

　　此次评选活动是在工业和信息化部电子信息司的指导下，由中国电子报、中国半导体照明/LED产业与应用联盟主办、中国光学光电子行业协会光电器件分会、中国光学光电子行业协会LED显示应用分会联合主办的针对我国LED企业进行的评选。评选通过企业自荐申报与协会专家推荐确定参选入围名单、经来自业界专家组成的评委会评审等步骤最终评定获奖企业。晶能光电作为“全球首家量产硅基大功率LED芯片的公司”，以硅基大功率LED蓝光芯片获奖充分体现了硅基大功率LED芯片量产对于半导体照明的重要意义，也再次确认晶能光电在硅基LED芯片研发制造方面的全球领先地位。

　　去年晶能光电推出了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在内的四款硅基大功率LED芯片，其中45mil的硅基大功率LED芯片发光效率已经提高到130lm/W，产品封装后蓝光功率最高可达615mW，白光光通量最高可达145lm，而55mil的硅基大功率LED芯片发光效率可达140lm/W。

　　晶能光电一贯重视研发创新，在硅衬底LED技术方面具有核心竞争力，拥有的硅基氮化镓LED材料与器件技术是一项改写半导体照明历史的颠覆性新技术，具有原创技术产权，在蓝宝石衬底、碳化硅衬底之外，形成了第三条半导体照明技术路线。针对硅衬底LED芯片技术申请了国际国内207项专利，其中PCT专利32项，且已在美国、欧盟、日本和韩国等国家或地区提出了申请，形成了中国唯一一家拥有IP专利垂直整合的LED照明公司。

　　晶能光电目前硅衬底LED技术生产的芯片具有如下三大优势：

　　（一）具有原创知识产权，产品可销往国际市场，不受国际专利限制；

　　（二）具有优良的性能：器件散热好、可在大电流密度下工作、抗静电性能好、寿命长、光斑形状好；

　　（三）器件封装工艺简单，垂直结构芯片，适合做荧光粉直涂工艺，节约封装成本。

　　晶能光电具有自主知识产权的硅基LED芯片在全球范围的首次量产实现了中国LED芯片的梦想，是不折不扣的“中国芯”。 晶能光电将在此基础上，通过进一步的技术提升和产能扩大，为LED照明的快速发展做出进一步的贡献。