附图 : 整合GaN LED和HEMT单晶片的元件剖面图
伦斯勒理工学院的电子电脑暨系统工程系教授T. Paul Chow带领的一项研究正试图透过开发一款具备完全采用氮化镓制造之元件的晶片来解决这些挑战。这种完全整合的独立型晶片可简化LED的制造,可减少组装和所需的自动化步骤。此外,由于采用单一晶片,因此零件故障的比率也能降低,并提升能源效率和成本效益,以及照明设计的灵活性。
Chow和研究团队们直接在氮化镓的高电子迁移率电晶体(HEMT)顶部生长氮化镓LED结构。他们使用数种基本技术来互连两个区域,创造出了他们称之为首个在相同氮化镓晶片上整合HEMT和LED的独立元件。该元件在蓝标石基板上成长,展现出的光输出和光密度都能和标准氮化镓LED元件相比。Chow表示,这项研究对于朝开发崭新的发光整合电路(light emitting integrated circuit,LEIC)光电元件而言相当重要。